cvd 外延设备是怎么回事(外延设备与半导体CVD)
cvd 外延设备是怎么回事(外延设备与半导体CVD)上篇我们聊到了 SiC外延生长的工艺,文末提到了其外延层仍然存在着缺陷,前面我们在聊晶片形成(抛光晶片的制成过程)时也聊过一些晶体缺陷的内容,今天我们就来聊聊外延层缺陷。外延层缺陷SiC 外延层形成过程中会形成不同的表面缺陷。在 SiC 器件的制造中,最重要的缺陷是被称为\"微管\",特征尺寸为 30~40um 的三维微管或者称为\"针孔\"的缺陷。最常见的微管是尺寸为 0.1~5um 的小洞,其可以渗入外延层,微管密度为 10~10³/cm²。大多数的